HyperX HX316C10FR/4 4GB DDR3 1600MHZ FURY RED SERIES

Η μνήμη HyperX HX316C10FR έχει δοκιμαστεί να τρέχει σε συχνότητα 1600MHz με low latency timing 10-10-10 at 1.5V. Μπορεί αυτόματα να υπερχρονιστεί στα 1866MHz και να πετύχει γρηγορότερες επιδόσεις στα παιχνίδια. Είναι μια αξιόπιστη και δοκιμασμένη λύση για να αυξήσετε τη μνήμη του υπολογιστή σας!

Τεχνικά Χαρακτηριστικά:

• Τύπος μνήμης: SDRAM DDR3 (PC3-12800).
• Χωρητικότητα: 4Gb.
• Συχνότητα: 1600MHz.
• CAS latency: 10-10-10-30.
• Τάση: 1,5V.
• Πρόσθετα Χαρακτηριστικά: Plug & Play, Αυτόματο overclocking.
• Θερμοκρασία λειτουργίας: 0°C έως 85°C.
• Κωδικός Κατασκευαστή: HX316C10FR/4.
• Διαστάσεις: 133.35 mm x 32.8 mm.
• Εγγύηση: Εφ’όρου ζωής.

Παρακάτω ακολουθούν οι πληροφορίες που δίνει η εταιρεία επίσημα για το προϊόν:

HyperX HX316C10FR/4 is a 512M x 64-bit (4GB) DDR3-1600
CL10 SDRAM (Synchronous DRAM) 1Rx8 memory module,
based on eight 512M x 8-bit DDR3 FBGA components. This
module has been tested to run at DDR3-1600 at a low latency
timing of 10-10-10 at 1.5V.

Additional timing parameters are shown in the PnP Timing Parameters section below. The JEDEC standard electrical and mechanical specifications are as follows:

PnP JEDEC TIMING PARAMETERS:
• DDR3-1600 CL10-10-10 @1.5V
• DDR3-1333 CL9-9-9 @1.5V
• DDR3-1066 CL7-7-7 @1.5V

SPECIFICATIONS
CL(IDD) 10 cycles
Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (min.)
Refresh to Active/Refresh 260ns (min.)
Command Time (tRFCmin)
Row Active Time (tRASmin) 37.5ns (min.)
Maximum Operating Power TBD W*
UL Rating 94 V – 0
Operating Temperature 0o C to 85o C
Storage Temperature -55o C to +100o C
*Power will vary depending on the SDRAM used.

FEATURES
• JEDEC standard 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply
• VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin
• 8 independent internal bank
• Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6
• Programmable Additive Latency: 0, CL – 2, or CL – 1 clock
• 8-bit pre-fetch
• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with
starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not
allow seamless read or write [either on the fly using A12 or
MRS]
• Bi-directional Differential Data Strobe
• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ
pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
• On Die Termination using ODT pin
• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C,
3.9us at 85°C < TCASE < 95°C
• Asynchronous Reset
• Height 1.291” (32.80mm) w/heatsink, single sided
component