Ξεκίνησε η παραγωγή των πρώτων 64GB DDR4 από τη Samsung

Η Samsung ανακοίνωσε ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή των πρώτων 64GB DDR4 Registered Dual Inline μνημών (RDIMMs) που χρησιμοποιούν την τρισδιάστατη (3D) “Through silicon via” (TSV) τεχνολογία. Αυτά τα υψηλής ποιότητας modules σχεδιάστηκαν για την επόμενη γενιά επιχειρηματικών servers και εφαρμογών “cloud-based”.

Τα νέα RDIMMs περιλαμβάνουν 36 chips DDR4 DRAM, κάθε ένα από αυτά 4Gb DDR4 DRAM. Τα chips χαμηλής ισχύος κατασκευάζονται χρησιμοποιώντας τη τεχνολογία της Samsung 20nm class process και την 3D TSV package τεχνολογία. Τα modules των 64GB DDR4 τρέχουν στα 2133 MHz και προορίζονται για servers της επόμενης γενιάς που βασίζονται στα Xeon E5 “Haswell-EP” chips.

Για να μπορέσει να υλοποιηθεί ένα πακέτο τεχνολογίας 3D TSV DRAM, οι μήτρες DDR4 λεπταίνουν μερικές δεκάδες μικρόμετρα και έπειτα τρυπιούνται ώστε να περιέχουν εκατοντάδες λεπτές τρύπες. Συνδέονται κάθετα μέσω ηλεκτροδίων που περνάνε από τις τρύπες που αναφέραμε. Το αποτέλεσμα αυτής της σύνδεσης στη νέα μονάδα 64GB TSV είναι απόδοση να διπλασιαστεί σε σχέση με μια μονάδα 64GB που χρησιμοποιεί τεχνολογία “wire bonding package”, ενώ καταναλώνει τη μισή ενέργεια.

Samsung Press Release